東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。
新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(ON)A)下降了大約43%[3]，從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約20%[5]，同時降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。因此，新產(chǎn)品有助于提高設(shè)備效率。
東芝將進一步壯大其功率器件產(chǎn)品線，強化生產(chǎn)設(shè)施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實現(xiàn)碳中和經(jīng)濟。
? 應(yīng)用：
- 開關(guān)電源(服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等)
- 電動汽車充電站
- 光伏變頻器
- 不間斷電源(UPS)
? 特性：
- 單位面積導(dǎo)通電阻低(RDS(ON)A)
- 低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷(RDS(ON)×Qgd)
- 低二極管正向電壓：VDSF=-1.35V(典型值)@VGS=-5V
? 主要規(guī)格：
(除非另有說明，Ta=25℃)
@Tc=25℃@VGS=18V@VDS=10V@VDS=400V、
注：
[1] 通過采用為第二代SiC MOSFET開發(fā)的內(nèi)置肖特基勢壘二極管的架構(gòu)，東芝開發(fā)出一種可降低單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(ON)A)，同時降低JFET區(qū)域反饋電容的器件架構(gòu)。
[2] MOSFET：金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
[3] 當(dāng)?shù)诙鶶iC MOSFET的RDS(ON)A被設(shè)為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。
[4] 當(dāng)?shù)诙鶶iC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設(shè)為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。
[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。
（轉(zhuǎn)載）
