2022年1月27日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出兩款全新碳化硅(SiC)MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者額定電壓為1200V，額定漏極電流為600A;后者額定電壓為1700V，額定漏極電流為400A。作為東芝首批具有上述額定電壓的產品，它們與之前發(fā)布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件產品線。
這兩種新模塊在安裝方式上兼容廣泛使用的硅(Si)IGBT模塊。兩種新模塊的低損耗特性滿足了工業(yè)設備對提高效率、減小尺寸的需求，例如用于軌道車輛的轉換器和逆變器以及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。
? 應用：
- 用于軌道車輛的逆變器和轉換器
- 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
- 電機控制設備
- 高頻DC-DC轉換器
? 特性：
- 安裝方式兼容Si IGBT模塊
- 損耗低于Si IGBT模塊
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense=0.9V(典型值)@ID=600A，Tch=25℃
Eon=25mJ(典型值)，Eoff=28mJ(典型值)@VDS=600V，ID=600A，Tch=150℃
MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A，Tch=25℃
Eon=28mJ(典型值)，Eoff=27mJ(典型值)@VDS=900V，ID=400A，Tch=150℃
- 內置NTC熱敏電阻
? 主要規(guī)格：
(除非另有說明，@Tc=25℃)
（轉載）
